중국 내 5G서비스 상용화와 인텔의 서버용 중앙처리장치인(CPU)인 ‘아이스레이크’ 출시로 내년 낸드플래시 시장 수요 증가에 대응하는 전략으로 해석된다.
12일 삼성전자와 중국 언론에 따르면 2021년 하반기 2단계 투자를 완료하면 월 13만장, 300억위안(5조655억원) 규모 웨이퍼 생산 능력을 확보하고 수 천명 고용을 할 수 있을 것으로 알려졌다.
시안 공장은 삼성전자의 유일한 해외 메모리 생산 기지다. 이곳에서는 낸드플래시 생산이 이뤄진다. 낸드는 D램과 달리 전원이 꺼져도 데이터를 기억하는 메모리 반도체다.
시안공장은 1공장과 2공장이 있다. 1공장은 108억달러(약 12조8000억원)를 투자해 2012년 착공해 2014년 상반기 가동됐다. 웨이퍼 기준 월 10만 장 규모의 낸드플래시를 생산하고 있다. 2공장은 아직 완공 전으로, 현재 70억달러를 투자한 1단계 공사가 한창 진행되고 있다. 현재 반도체 생산에 필요한 장비들이 입고되고 있고, 최대 웨이퍼 6만5000장 생산 능력을 갖춘 공장이 될 것으로 알려졌다.
이번에 밝힌 ‘2단계’ 투자는 2공장 나머지 부분에 낸드플래시 생산 설비를 갖춘다는 의미다.
일각에서는 중국 시안 반도체 공장에 대한 삼성의 추가 투자는 리커창 중국 총리의 10월 공장 방문과도 관련이 있다는 분석이다. 당시 리 총리는 “총 150억 달러가 투자된다”며 기존 70억 달러에 추가로 80억 달러가 투자된다고 밝힌 바 있다.
삼성전자의 이번 투자는 올해 저점을 찍었던 메모리 시장에 긍정적인 영향을 줄 것으로 전망된다. 지난해 말부터 메모리 반도체 초호황 사이클이 끝나면서 삼성전자의 올해 실적이 크게 감소했다. 하지만 내년 5G 스마트폰 증가와 데이터센터 신규 수요 등으로 시장이 살아날 것이라는 분석이다. 삼성전자는 순차적인 낸드플래시 공장 완공으로 중국 내 모바일 시장 뿐 아니라 글로벌 메모리 수요 증가에 대응할 것으로 보인다.
한편 삼성전자는 세계 낸드플래시 시장에서 30% 이상 점유율을 확보한 1위 업체다. 최근 세계에서 처음으로 전류가 흐르는 구멍인 채널 홀을 한 번에 뚫는 싱글 스택 방식으로 128단 낸드플래시 기술 개발을 완료하는 등 기술에서도 앞서고 있다.
이종혜 기자
이종혜기자 hey33@hankooki.com