13일 ‘K-반도체 벨트 전략 보고대회’서 투자 확대 선언

박정호 SK하이닉스 부회장(오른쪽)이 13일 오후 경기도 평택시 삼성전자 평택단지 3라인 건설현장에 마련된 야외무대에서 열린 ‘K-반도체 전략 보고’에 참석해 ‘용인 클러스터 중심 메모리 파운드리 투자 확대계획’을 발표하고 자리로 돌아오며 김기남 삼성전자 부회장과 주먹 인사를 하고 있다. (사진=연합뉴스 제공)
[주간한국 송철호 기자] 삼성전자와 SK하이닉스 양사가 13일 평택캠퍼스에서 열린 ‘K-반도체 벨트 전략 보고대회’에서 ‘시스템 반도체’ 투자 확대를 선언했다. 특히 파운드리(위탁생산) 산업에 대한 입지를 구축키 위해 대규모 투자로 시장 점유율을 끌어올리겠다는 계획을 밝혔다.

이날 보고대회에는 문재인 대통령을 비롯해 홍남기 경제부총리와 유은혜 사회부총리, 그리고 산업통상자원부 등 유관 기관 장관급 인사들이 대거 참석했다. 반도체업계에서는 김기남 삼성전자 부회장, 박정호 SK하이닉스 부회장, 정칠희 네패스 회장, 박성현 리벨리온 대표 등이 참석했다.

먼저 삼성전자는 2030년까지 파운드리를 포함한 시스템 반도체(비메모리) 부문 투자금액을 171조 원으로 확대하고 2030년까지 시스템 반도체 1위가 되겠다는 목표 달성에 박차를 가한다. 동시에 세계 최대 규모 평택캠퍼스 3라인을 내년 하반기까지 완공해 메모리 반도체 부문 초격차 전략을 가속화할 예정이다.

이에 삼성전자는 내년 하반기 완공을 목표로 평택 3라인을 구성할 예정이다. 평택 3라인의 클린룸(반도체 공장 내부) 규모는 축구장 25개 크기로 현존하는 최첨단 기술이 적용된 공장이다. 극자외선(EUV) 기술이 적용된 14나노미터 D램과 5나노 연산가능 제품을 양산하고 있다. 모든 공정은 스마트 제어 시스템으로 전자동 관리된다.

향후 삼성전자는 차세대 D램에 EUV 기술을 선도적으로 적용해 나가고 메모리와 시스템 반도체를 융합한 ‘HBM-PIM’과 D램의 용량 한계를 극복할 수 있는 ‘CXL D램’ 등 미래 메모리 솔루션 기술 개발에도 박차를 가해 초격차를 유지하며 세계 1위의 위상을 공고히 한다는 계획이다.

김 부회장은 “한국이 줄곧 선두를 지켜온 메모리 분야에서 경쟁자들 추격이 거세지고 있다”며 “수성에 힘쓰기 보다는 결코 따라올 수 없는 초격차를 유지하기 위해 선제적인 투자에 앞장서겠다”고 말했다.

메모리 기업인 SK하이닉스도 이날 파운드리 산업에 과감한 투자를 예고했다. 전체 매출 가운데 98%를 메모리 반도체가 책임지고 있어 이번 정부의 ‘K-반도체 전략’에 화답키로 결정한 것으로 보인다.

SK하이닉스는 8인치 파운드리 생산 능력을 현재보다 2배로 확대한다는 목표로 국내 설비를 증설하고 추가 인수·합병(M&A)에 나서겠다는 계획이다.

SK하이닉스 관계자는 “파운드리 사업을 본격적으로 확대해 전 세계적으로 공급이 부족한 비메모리 반도체 공급 안정화에 기여할 것”이라며 “국내 팹리스 기업 지원을 통해 비메모리 생태계를 활성화할 것”이라고 강조했다.



송철호 기자 song@hankooki.com